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可控硅保护
晶闸管保护电路
 
      晶闸管的保护电路,大致可以分为两种情况:一种是在适当的地方安装保护器件,例如,R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路,检测设备的输出电压或输入电流,当输出电压或输入电流超过允许值时,借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态,从而抑制过电压或过电流的数值。
 
一.晶闸管的过流保护
 
      晶闸管设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如整流晶闸管损坏, 触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥晶闸管损坏类较为严重, 一般是由于晶闸管因过电压而击穿,造成无正、反向阻断能力,它相当于整流桥臂发生永久性短路,使在另外两桥臂晶闸管导通时,无法正常换流,因而产生线间短路引起过电流.另一类则是整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流,这类情况时有发生,因为整流桥的负载实质是逆变桥, 逆变电路换流失败,就相当于整流桥负载短路。另外,如整流变压器中心点接地,当逆变负载回路接触大地时,也会发生整流桥相对地短路。
 
1.对于第一类过流,即整流桥内部原因引起的过流,以及逆变器负载回路接地时,可以采用第一种保护措施,最常见的就是接入快速熔短器的方式。见图1。快速熔短器的接入方式共有三种,其特点和快速熔短器的额定电流见表1。
 
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方式 特点 额定电流IRN 备注
A型 熔短器与每一个元件串联,能可靠地保护每一个元件 IRN<1.57IT IT:晶闸管通态 平均电流
B型 能在交流、直流和元件短路时起保护作用,可靠性稍有降低 IRN<KCID
系数KC见表2
KC:交流侧线电流与ID之比
ID:整流输出电流
C型 直流负载侧有故障时动作,元件内部短路时不能起保护作用 IRN<ID ID:整流输出电流
 
表1:快速熔短器的接入方式、特点和额定电流
 
型式 单相
全波
单相
桥式
三相
零式
三相
桥式
六相零式
六相曲折
双Y 带平
衡电抗器
系数KC 电感负载 0.707 1 0.577 0.816 0.108 0.289
电阻负载 0.785 1.11 0.578 0.818 0.409 0.290
 
表2:整流电路型式与系数KC的关系表
 
2.对于第二类过流,即整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流,则应当采用电子电路进行保护。常见的电子保护原理图如下
 
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图2:过流保护原理图
 
二.晶闸管的过压保护
 
      晶闸管设备在运行过程中,会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。同时,设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。
 
1.过电压保护的第一种方法是并接R-C阻容吸收回路,以及用压敏电阻或硒堆等非线性元件加以抑制。见图3和图4。
 
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2.过电压保护的第二种方法是采用电子电路进行保护。常见的电子保护原理图如下:
 
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三.电流上升率、电压上升率的抑制保护
 
1.电流上升率di/dt的抑制
 

      晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域,局部电流密度很大,然后以0.1mm/μs的扩展速度将电流扩展到整个阴极面,若晶闸管开通时电流上升率di/dt过大,会导致PN结击穿,必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。如下图:

 
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2.电压上升率dv/dt的抑制
 
      加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大,由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流,该电流可以实际上起到触发电流的作用,使晶闸管正向阻断能力下降,严重时引起晶闸管误导通。
      为抑制dv/dt的作用,可以在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路。如下图:
 
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